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Ces puces sont promises pour 2007...Il s‘agit réellement d’une avancée remarquable dansla miniaturisation des composantes électroniques. Et ce qui dit miniaturisation de puceS dira aussi REDUCTION en consommation d’énergie et en fuites. Plus petit, plus performant et moins coûteux….…. une utilisation facile et agréable.
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Il s'agit d'une avancée dans la miniaturisation des composantes électroniques, qui permettra d'accroître les performances des puces tout en diminuant leur consommation d'énergie.
Avec l'avènement de la photolithogravure à 45 nanomètres (nm), une amélioration considérable par rapport à la technologie actuelle de 65 nm, Intel estime que la loi de Moore* continue d'être respectée, et que la transition vers la production industrielle de puces à 45 nm devrait se réaliser en 2007, tel que prévu dans le calendrier d'Intel.
Intel annonce donc ce mercredi la fabrication des premières puces de mémoire SRAM 45 nm pleinement fonctionnelles sur plaquettes de silicium de 300 mm de diamètre, une première mondiale nous assure-t-on.
Selon Intel, cette technologie à 45 nm permettrait de réduire les fuites électriques par un facteur de cinq et d'améliorer grandement l'autonomie des appareils portables (ou d'augmenter leur puissance).
- Plus de détails plus photos chez Intel.
- Source : Branchez-vous
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Il s'agit d'une avancée dans la miniaturisation des composantes électroniques, qui permettra d'accroître les performances des puces tout en diminuant leur consommation d'énergie.
Avec l'avènement de la photolithogravure à 45 nanomètres (nm), une amélioration considérable par rapport à la technologie actuelle de 65 nm, Intel estime que la loi de Moore* continue d'être respectée, et que la transition vers la production industrielle de puces à 45 nm devrait se réaliser en 2007, tel que prévu dans le calendrier d'Intel.
Intel annonce donc ce mercredi la fabrication des premières puces de mémoire SRAM 45 nm pleinement fonctionnelles sur plaquettes de silicium de 300 mm de diamètre, une première mondiale nous assure-t-on.
Selon Intel, cette technologie à 45 nm permettrait de réduire les fuites électriques par un facteur de cinq et d'améliorer grandement l'autonomie des appareils portables (ou d'augmenter leur puissance).
- Plus de détails plus photos chez Intel.
- Source : Branchez-vous