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Seiko Epsone vient de mettre au point une technologie qui permet de monter de la mémoire vive ferro-électrique (FeRAM, "ferroelectric random access memory") sur une plaque flexible et fine.
Le procédé développé par la firme nippone sera donc applicable aux smart tags et papier électronique.
La FeRAM est une mémoire vive non volatile, ce qui signifie que les donnees sont retenues en mémoire même lorsque le périphérique est éteint. Attendue comme la prochaine génération de mémoire vive, elle permet entre autres une grande vitesse d'écriture tout en conservant une consommation réduite.
Seiko a auparavant conçu des semi-conducteurs organiques et des couches de polymère fluorés tenant sur des "feuilles" plastiques d'un dizième de millimètre d'épaisseur. D'importants problèmes subsistent néanmoins, notamment au niveau de la tension élevée nécessaire à l'écriture des données. Une éventuelle commercialisation n'interviendrait pas avant trois ans.
Le procédé développé par la firme nippone sera donc applicable aux smart tags et papier électronique.
La FeRAM est une mémoire vive non volatile, ce qui signifie que les donnees sont retenues en mémoire même lorsque le périphérique est éteint. Attendue comme la prochaine génération de mémoire vive, elle permet entre autres une grande vitesse d'écriture tout en conservant une consommation réduite.
Seiko a auparavant conçu des semi-conducteurs organiques et des couches de polymère fluorés tenant sur des "feuilles" plastiques d'un dizième de millimètre d'épaisseur. D'importants problèmes subsistent néanmoins, notamment au niveau de la tension élevée nécessaire à l'écriture des données. Une éventuelle commercialisation n'interviendrait pas avant trois ans.