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La loi de Moore est toujours en course : grâce à de nouveaux matériaux, Intel et IBM entendent presque doubler les capacités des microprocesseurs.
Une nouvelle génération de transistors, permettant la fabrication de microprocesseurs encore plus petits et encore plus rapides, devrait peupler les ordinateurs fin 2007 - début 2008. Les compagnies Intel et IBM ont annoncé en même temps mais chacune de leur côté, que leur transistor de 45 nanomètres (nm) allait intégrer les chaînes de production au cours de l’année 2007 et que les premiers produits équipés des nouveaux processeurs seront commercialisés l’année suivante.
Intel, comme IBM, estiment qu’il s’agit du plus grand changement depuis 40 ans dans la fabrication des microprocesseurs. Et n’oublient pas de signaler que la loi de Moore, prédisant que le nombre de transistors sur une puce doublerait tous les deux ans environ, est respectée.
Les transistors sont les composants essentiels du microprocesseur. Il y en a plusieurs millions sur une puce –ou microprocesseur. Leur taille n’a cessé de se réduire. Dans le même temps, pour améliorer leur efficacité en réduisant leur temps de commutation, les fabricants ont aminci la couche d’isolant électrique qui sépare le transistor des canaux dans lesquels circule le courant. L’inconvénient c’est que les fuites d’électrons se sont amplifiées, augmentant la consommation électrique des processeurs.
Pour surmonter cet obstacle, les fabricants ont mis au point un nouvel isolant, abandonnant le dioxyde de silicium utilisé depuis plusieurs décennies. IBM ne donne pas de détails sur sa recette. Intel indique que le nouvel isolant est conçu à base de silicate d’hafnium et qu’il divise les fuites par cinq. Les recherches sur ce matériau diélectrique ont commencé à donner leurs premiers résultats il y a environ 6 ans. Désormais les fabricants passent à l’application concrète avec l’arrivée de la gravure en 45 nanomètres sur les chaînes de production.
Environ 400 transistors de cette taille peuvent tenir sur la surface d’un globule rouge humain, selon les calculs d’Intel. Il y a 10 ans, le transistor mesurait 250 nanomètres, rappelle la société de Santa-Clara (Californie).
Par Sciences et Avenir
Une nouvelle génération de transistors, permettant la fabrication de microprocesseurs encore plus petits et encore plus rapides, devrait peupler les ordinateurs fin 2007 - début 2008. Les compagnies Intel et IBM ont annoncé en même temps mais chacune de leur côté, que leur transistor de 45 nanomètres (nm) allait intégrer les chaînes de production au cours de l’année 2007 et que les premiers produits équipés des nouveaux processeurs seront commercialisés l’année suivante.
Intel, comme IBM, estiment qu’il s’agit du plus grand changement depuis 40 ans dans la fabrication des microprocesseurs. Et n’oublient pas de signaler que la loi de Moore, prédisant que le nombre de transistors sur une puce doublerait tous les deux ans environ, est respectée.
Les transistors sont les composants essentiels du microprocesseur. Il y en a plusieurs millions sur une puce –ou microprocesseur. Leur taille n’a cessé de se réduire. Dans le même temps, pour améliorer leur efficacité en réduisant leur temps de commutation, les fabricants ont aminci la couche d’isolant électrique qui sépare le transistor des canaux dans lesquels circule le courant. L’inconvénient c’est que les fuites d’électrons se sont amplifiées, augmentant la consommation électrique des processeurs.
Pour surmonter cet obstacle, les fabricants ont mis au point un nouvel isolant, abandonnant le dioxyde de silicium utilisé depuis plusieurs décennies. IBM ne donne pas de détails sur sa recette. Intel indique que le nouvel isolant est conçu à base de silicate d’hafnium et qu’il divise les fuites par cinq. Les recherches sur ce matériau diélectrique ont commencé à donner leurs premiers résultats il y a environ 6 ans. Désormais les fabricants passent à l’application concrète avec l’arrivée de la gravure en 45 nanomètres sur les chaînes de production.
Environ 400 transistors de cette taille peuvent tenir sur la surface d’un globule rouge humain, selon les calculs d’Intel. Il y a 10 ans, le transistor mesurait 250 nanomètres, rappelle la société de Santa-Clara (Californie).
Par Sciences et Avenir