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Toshiba Corporation et SanDisk® Corporation ont célébré aujourd'hui, au cours d’une cérémonie traditionnelle et d’une réception, l’ouverture de Fab 4, la toute dernière usine de plaquettes 300 mm sur le site Yokkaichi de Toshiba, dans la Préfecture Mie du Japon.
Toshiba a commencé la construction de Fab 4 en août 2006 en réponse à la demande toujours croissante pour les mémoires flash NAND utilisées dans une large gamme d’applications numériques, y compris les diffuseurs de média numériques, téléphones mobiles, ordinateurs personnels et cartes à mémoire.
Fab 4 devrait commencer la production en masse en décembre 2007 et atteindre une capacité de production de 80 000 plaquettes par mois dans la seconde moitié de l’année civile 2008. L’usine dispose encore de suffisamment de place pour étendre sa capacité, et un investissement ultérieur pourrait porter la production à 210 000 plaquettes par mois, en réponse à l’augmentation projetée de la demande sur le marché dans l’avenir. Au départ, Fab 4 va employer une technologie des procédés de 56 nanomètres (nm) de pointe et projette une transition graduelle vers une technologie de 43 nm à partir de mars 2008.
« Toshiba et son partenaire SanDisk sont ravis de célébrer la construction de cette nouvelle usine » a déclaré M. Shozo Saito, vice-président directeur d’entreprise de Toshiba Corporation et président-directeur général de la société de semi-conducteurs de Toshiba. « Fab 4 comportera des capacités de fabrication de classe mondiale au niveau de l’échelle et de la productivité. Elle va nous permettre de renforcer notre leadership sur le marché mondial en pleine croissance des mémoires flash NAND haute densité, et constituera un moteur de croissance puissant pour les deux sociétés. »
Dr. Eli Harari, président-directeur général et président du conseil d’administration de SanDisk Corporation, a déclaré, « Fab 4 témoigne du succès du solide partenariat et de l’engagement à long terme entre Toshiba et SanDisk. L’énorme dimension et la portée technologique de Fab 4 reflète notre confiance et notre optimisme pour l’avenir, et, à notre avis, va nous permettre de répondre de façon compétitive à la demande croissante qui va émaner de notre clientèle mondiale pour un stockage flash dans les années à venir. »
L’usine Fab 4 est conçue pour minimiser l’impact des catastrophes naturelles sur les opérations. Le bâtiment a été construit en utilisant une structure à la pointe du progrès qui absorbe les tremblements de terre, amortit jusqu’à deux tiers la force d’un séisme, et déploie une compensation de puissance multiple (CMP) qui se déclenche instantanément par toute perte d’alimentation momentanée soudaine, résultant d’un foudroiement par exemple.
Toshiba a financé la construction du bâtiment Fab 4, et Flash Alliance, Ltd., une entreprise Toshiba-SanDisk établie en juillet 2006, détenue à 50,1% par Toshiba et 49,9% par SanDisk, finance l’équipement de fabrication avancé qui est en train d’être installé dans l’usine.
La nouvelle usine permettra à Toshiba et SanDisk de déployer les toutes dernières avances en technologie des procédés et en technologie cellulaire multiniveau et les aidera à améliorer leur compétitivité et à maintenir leur leadership sur le marché des mémoires flash NAND.
Note: 1 nanomètre = un milliardième de mètre
source : sandisk
Toshiba a commencé la construction de Fab 4 en août 2006 en réponse à la demande toujours croissante pour les mémoires flash NAND utilisées dans une large gamme d’applications numériques, y compris les diffuseurs de média numériques, téléphones mobiles, ordinateurs personnels et cartes à mémoire.
Fab 4 devrait commencer la production en masse en décembre 2007 et atteindre une capacité de production de 80 000 plaquettes par mois dans la seconde moitié de l’année civile 2008. L’usine dispose encore de suffisamment de place pour étendre sa capacité, et un investissement ultérieur pourrait porter la production à 210 000 plaquettes par mois, en réponse à l’augmentation projetée de la demande sur le marché dans l’avenir. Au départ, Fab 4 va employer une technologie des procédés de 56 nanomètres (nm) de pointe et projette une transition graduelle vers une technologie de 43 nm à partir de mars 2008.
« Toshiba et son partenaire SanDisk sont ravis de célébrer la construction de cette nouvelle usine » a déclaré M. Shozo Saito, vice-président directeur d’entreprise de Toshiba Corporation et président-directeur général de la société de semi-conducteurs de Toshiba. « Fab 4 comportera des capacités de fabrication de classe mondiale au niveau de l’échelle et de la productivité. Elle va nous permettre de renforcer notre leadership sur le marché mondial en pleine croissance des mémoires flash NAND haute densité, et constituera un moteur de croissance puissant pour les deux sociétés. »
Dr. Eli Harari, président-directeur général et président du conseil d’administration de SanDisk Corporation, a déclaré, « Fab 4 témoigne du succès du solide partenariat et de l’engagement à long terme entre Toshiba et SanDisk. L’énorme dimension et la portée technologique de Fab 4 reflète notre confiance et notre optimisme pour l’avenir, et, à notre avis, va nous permettre de répondre de façon compétitive à la demande croissante qui va émaner de notre clientèle mondiale pour un stockage flash dans les années à venir. »
L’usine Fab 4 est conçue pour minimiser l’impact des catastrophes naturelles sur les opérations. Le bâtiment a été construit en utilisant une structure à la pointe du progrès qui absorbe les tremblements de terre, amortit jusqu’à deux tiers la force d’un séisme, et déploie une compensation de puissance multiple (CMP) qui se déclenche instantanément par toute perte d’alimentation momentanée soudaine, résultant d’un foudroiement par exemple.
Toshiba a financé la construction du bâtiment Fab 4, et Flash Alliance, Ltd., une entreprise Toshiba-SanDisk établie en juillet 2006, détenue à 50,1% par Toshiba et 49,9% par SanDisk, finance l’équipement de fabrication avancé qui est en train d’être installé dans l’usine.
La nouvelle usine permettra à Toshiba et SanDisk de déployer les toutes dernières avances en technologie des procédés et en technologie cellulaire multiniveau et les aidera à améliorer leur compétitivité et à maintenir leur leadership sur le marché des mémoires flash NAND.
Note: 1 nanomètre = un milliardième de mètre
source : sandisk